華為集團在半導體領域有重大技術突破，通過自主研發邏輯摺疊（LogicFolding）原創技術，不需要外國的極紫外（EUV）光刻機，也能量產最先進製程芯片，目標2031年生產1.4納米芯片，意味中國半導體製造技術大躍進，打破美國的卡脖子。

中國科技自強自立取得成效，估值只及美國科技股三分之一的中國科技股潛在上升空間廣闊。內地科技創新能力強勁，人工智能（AI）大模型具成本競爭優勢，性能可媲美美國的GPT大模型，吸引大量海外用戶使用，因而全球AI大模型詞元（Token）調用量持續冠全球。有統計數據顯示，截至5月24日的一周，中國AI大模型調用量9.22萬億個Token，而美國AI大模型調用量為4.93萬億個Token，顯示中國AI大模型在全球市場佔有重要地位，技術創新獲得國際認可。

擺脫依賴外國EUV光刻機

事實上，中國科技創新成果接踵而來，華為集團在5月25日發表芯片製造的創新技術，名為「韜定律」，通過邏輯摺疊（LogicFolding）技術，即不再依靠縮小晶體管尺寸，以達至算力突破（目前普遍認為1納米芯片的晶體管尺寸已達物理極限，遭遇摩爾定律的瓶頸），而是透過壓縮信號傳輸時延，優化芯片內部互連結構，從而達至算力效能最大提升。簡言之，華為芯片製造技術不再需要外國先進的極紫外（EUV）光刻機，也能量產先進製程的芯片，打破美國的卡脖子，面對光刻機等設備及技術的限制，中國半導體產業仍能壯大發展。

華為的芯片創新技術重點是由追求極致精細尺寸轉變為壓縮信號傳輸時延，令具高頻傳輸及降低信號延遲特性的第三代半導體材料碳化硅（SiC）需求大增，刺激相關業務股份如天岳先進（02631）股價年內大漲近倍。

值得留意的是，華為過去6年已基於韜定律成功設計及量產381款芯片，先進光刻機限制阻不了中國自主生產先進製程的芯片，目標在2031年以邏輯摺疊技術生產相當於1.4納米同等水平的芯片，而早前全球芯片代工龍頭台積電表示計劃在2028年量產1.4納米芯片。由此可知，華為芯片製造創新技術具顛覆性，中國半導體產業能夠短時間收窄先進芯片製程的技術差距，甚至有望後來居上。

事實上，華為芯片製造技術大突破的消息一出，光刻機龍頭荷蘭艾司摩爾（ASML）股價連日下跌，反映中國半導體產業在芯片製造技術突破之下將呈現爆發式增長，投資者憂心艾司摩爾光刻機逐步失去訂單及市場份額。

中芯華虹股價逆市創新高

中國芯片製造技術大躍進，為國產替代提供有利條件，推動中國科技股價值大釋放，其中芯片股呈現大幅上升，近日中芯國際（00981）、華虹半導體（01347）、寒武紀（688256）股價走勢強勁，股價逆市創新高，在港上市的華虹半導體今年累積升幅最大，達到130%，昨日曾高見177元，而在上海科板上市的寒武紀股價亦大升逾50%，反映內外資蜂擁流入，積極追捧中資半導體股。

中國正在加強原始創新和關鍵核心技術突破，培育出更大新質生產力的動能，搶佔科技制高點，實現高水平科技自強自立，推動經濟持續發展，釋放新增動力。