新民政道/從微電子產業看香港創科政策轉變\盧曉楓

9月16日上午，行政長官李家超公布《香港特別行政區經濟和社會發展第一個五年規劃（2026-2030年）》（簡稱五年規劃），以對接國家「十五五」規劃為主旨，布局宏大，結構精密，更可見特區政府破除「小政府」教條的決心。在香港面對科技革命浪潮、產業轉型需求的當下，特區政府和創科業界尤其需要這份五年規劃，以執行更具體和更具針對性的新產業政策。其中，微電子半導體產業無疑是香港打造國際創科中心，以至突破前沿技術瓶頸的關鍵之一，五年規劃直接將全面推進微電子產業鏈拓展列為重大科技項目之一，反映香港的創科政策，正由傳統科研及金融科技，逐步延伸至硬科技、先進材料及智能製造等核心技術領域。

從五年規劃有關「優化創新科技發展體制」的部分中，可以看出特區政府在制定創科政策時的幾個思路轉變：

第一是政策定位有所提升，創科政策由以往較注重支援性的方向，上升為香港經濟轉型和產業戰略的主軸。第二，更加重視產業化，例如推動更多應用場景、智能生產線、科研成果轉化及耐心資本，避免科研成果與市場脫節。第三，着力解決資源配置問題，布局三大園區、五大研發機構，同時推進多個專項基金，為創科產業提供從硬件到經濟上的基礎支援。

從硬件到經濟提供支援

而從具體落實方面，更可見政府匯聚資源全力打造國際創新科技中心及國際高端人才集聚高地的決心。例如與去年施政報告相比，今年施政報告把確立的機構框架進一步「落地化、產業化和應用化」。2025年的重點是完成布局、建立機構和投入資源；2026年則更強調研發成果轉化、產業應用、技術認證、資本支持及新型工業化。以電子研發院為例，2025年施政報告着重推進兩條第三代半導體試驗生產線，2026年的重點則由前置的「建線」，進一步轉向「試產、驗證和產業化」。

施政報告更就籌建國家製造業創新中心提出明確目標，現時微電子研發院聚焦第三代半導體芯片技術研發與試產，並正全速組裝的兩條中試線，將在今年底投入運作。這目標符合半導體產業的全球價值鏈分布以及發展態勢。第三代半導體主要包括碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料。與傳統矽基器件相比，這些材料具備高耐壓、高頻、高溫及低能耗等優勢，適用於新能源汽車主驅逆變器、快速充電、光伏及儲能、智能電網、5G／6G通信、數據中心和工業電源。

微電子研發院目前正以SiC和GaN為重點，目標是推動研發成果由「1」擴展至「N」，支援新能源汽車、工業及消費電子和可再生能源等應用。第三代半導體的全球需求，正受到能源轉型、電氣化和人工智能基礎設施三重因素推動。中國內地在SiC襯底，功率器件及新能源汽車供應鏈方面加快追趕，並形成較完整的材料、外延、器件、模組和終端應用體系。據行業研究資料，2025年我國第三代半導體功率電子市場約為227億元人民幣，按年增長28.6%。這既為香港提供大灣區產業協作機會，也意味香港並不是單純重複內地大規模晶圓製造投資，而是集中在發展研發、中試、設計、認證、專業服務和國際化等較具比較優勢的環節。

形成區域性產業集群

在五年規劃中，政府沒有選擇另建院校，而是將原有微電子研發院的定位擴展為「公共技術平台＋中試驗證平台＋產業協同平台」，背後經過深思熟慮。首先，兩條中試線本就可以向大學、初創企業、內地企業及國際企業開放，發揮提供器件設計的功能。第二，基於五年規劃的定位，這方便特區政府進一步建立清晰的技術路線圖。SiC方面可聚焦高壓功率MOSFET、二極管、功率模組、車用逆變器及光伏儲能；GaN方面則可聚焦高頻功率器件、快充、數據中心電源、射頻器件和6G前端。特區政府不必平均分配資源，而應按照技術成熟度、企業需求和大灣區產業鏈優勢，確定若干可在三至五年內形成產品的重點項目。第三，相關政策可集中資源令微電子研發院成為香港首個國家製造業創新中心的技術中樞，與國家工業和信息化部、深圳及大灣區企業建立聯合攻關機制，讓香港科研平台更有效接入國家產業鏈和標準體系，未來可進一步建立跨境樣品測試、工藝數據合作、知識產權分配及成果轉化機制。

五年規劃已為香港第三代半導體發展提供重要政策起點，微電子研發院兩條中試線和國家製造業創新中心更是關鍵抓手。香港的定位不是與內地和海外企業競逐全面晶圓產能，而是發揮國際化、科研、金融、法律及專業服務優勢，集中突破功率半導體中試、設計、封裝、測試、認證和系統應用。若能把微電子研發院建設成連接國家產業鏈、香港科研和全球市場的公共技術平台，香港有望在SiC、GaN及新一代功率電子領域形成具特色的區域性產業集群。 新民黨東區區議員