長鑫推新一代記憶體 技術傳快三星兩年

【大公報訊】長鑫存儲日前宣布，預計2026年底推出結合「4F2」DRAM架構及混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的新一代DDR5 RDIMM伺服器記憶體。市場指出將比記憶體龍頭三星早兩年推出，消息觸發韓國及美國半導體企業股價急挫。美國科企特斯拉CEO馬斯克認為，若中國掌握特定產品的製造技術，其規模化量產能力將會超越全世界其餘地區的總和。

「4F2」製程技術主要將記憶體單元內的單顆電晶體與電容器，由傳統的「水平排列」改為「垂直堆疊」，使單一記憶體單元的表面佔位縮小為正方形，精確配置2條位元線（Bitline）與2條字元線（Wordline）。在相同特徵尺寸下，「4F2」讓晶片整體的單元密度顯著提升30%至50%。

科技媒體Wccftech報道，三星電子預計在2028年導入「4F2」DRAM架構。若長鑫能在2026年底推出相關產品，單以產品發布時間比較，便可能取得約兩年的先機。

馬斯克：中國產能可達其他國家總和

馬斯克日前在社交平台X發文表示，中國若掌握某項產品的製造技術，擴大量產的能力往往超過其他國家總和，鋰電池及太陽能就是典型案例。他指出，記憶體（RAM）可能成為下一個面臨中國大規模量產競爭的產業，中國在目前及下一代低功耗雙倍資料率（LPDDR5、LPDDR6）的技術方面快速追趕，但相信在高頻寬記憶體（HBM）這類新晶片架構「將難解決」。

長鑫存儲公布新一代記憶體技術突破，全球記憶體股連日急挫。費城半導體指數瀉逾4%，連跌六天，蒸發1.6萬億美元。此外，韓國基準股指KOSPI下跌高達7.6%。日本日經225指數亦下跌近4%，其中半導體相關股票表現最差。